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窒化物半導体マルチビジネス創生センターが開所


 名古屋工業大学は、「窒化物半導体マルチビジネス創生センター」の開所記念式典を9月20日に開催した。
 同センターは、窒化物半導体パワーデバイスの実用化・事業化に向けた研究開発推進拠点として、経済産業省のイノベーション拠点立地支援事業(「技術の橋渡し拠点」整備事業)により整備されたものである。同事業への採択は名古屋工業大学江川孝志同センター長による「Si基板上に極薄のGaN結晶を成長させる技術」に関する20年余に渡る地道な研究の成果に基づいており、文部科学省の「知的クラスター創成事業」等により支援を受けていた研究である。
 記念式典では、名古屋工業大学髙橋実学長が「本センターは、「産学連携」というよりも産学ともに同じ目標に向かって研究開発を推進する「産学一体」という表現がふさわしい施設だ。まさに、国立大学初、次世代パワーデバイス開発のためのパイロットプラントが始動したと言って過言ではない。」と挨拶した。さらに中部経済産業局長 山本雅史氏、文部科学省科学技術・学術政策局 産業連携・地域支援課地域支援企画官 髙谷浩樹氏、民間企業からの来賓の祝辞とともに、江川孝志同センター長による同センターの概要説明後、テープカットが行われた。
 その後、トヨタ自動車株式会社 嵯峨宏英氏による特別講演会が200名を超える参加者を迎えて行われた。
 交流会では愛知県副知事小川悦雄氏らの挨拶があり、和やかな雰囲気のなか、今後の同センターへの期待の声が寄せられた。

 

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